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2021年中國存儲芯片行業市場規模及競爭格局分析

2021 - 05 - 31

在國家大力支持半導體產業發展的背景下，中國半導體存儲基地于2016年開始建設。隨著半導體行業的快速發展，我國存儲芯片的應用場景不斷擴大。目前，我國存儲芯片在各個領域的應用正處于發展的初級階段，能夠成熟相關存儲芯片產品應用的企業數量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市場被韓國、日本、美國企業所占據?！　?、中國存儲芯行業起步較晚，技術基礎薄弱　　中國的存儲芯片發展較晚。2016年之前，行業幾乎沒有產能，存儲芯片極度依賴進口。面對外資企業在存儲芯片行業的壟斷優勢，中國近年來開始大舉投資存儲芯片行業。經過幾年的發展，逐漸取得了一些成績?！　∧壳?，中國大陸地區企業在相關領域的市場份額仍然較低，通過國家政府層面的大規模投資，有機會快速切入相關領域，是芯片國產化的可靠而重要的一步?！　〈鎯π酒袠I是一個技術密集型行業。中國存儲芯片行業起步較晚，缺乏積累的技術經驗。雖然我國本土的企業已經逐步完善了NAND和DRAM行業的布局，但每一款存儲芯片產品還處于生產初期，尚未實現量產。與國外存儲芯片廠商相比，我國存儲芯片技術基礎薄弱，是制約行業發展的主要因素?！　∫?DNAND存儲器為例，三星、海力士通過不斷開發創新，改進數據存儲單元結構，增加單元存儲容量，開發生產了176層3DNAND。國內于2020年推出128層QLC 3D NAND閃存?？梢钥闯?，與國外領先的3D NAND...

在國家的支持下，中國的集成電路制造業正在不斷壯大

2021 - 06 - 23

集成電路制造是集成電路產業的關鍵環節，集成電路制造技術的突破直接關系到我國集成電路的自給自足。近年來，外國對中國集成電路行業的制裁，促使中國不斷突破集成電路制造技術，尋找出路。隨著中國集成電路產業的不斷發展，2020年中國集成電路制造業市場規模達到2560億元，產量達到2614.7億件?！　?、集成電路制造是推動國家信息化和工業化融合的關鍵　　集成電路制造屬于集成產業產業鏈的中游，是當前國民經濟和社會發展的戰略性、基礎性、主導性產業，是轉變經濟發展方式、調整產業結構、保障國家安全的重要支撐。集成電路制造業的發展直接關系到我國科技、軍事等領域的發展趨勢。因此，集成電路制造業對中國綜合國力的發展尤為重要?！　?、國家高度重視集成電路制造業的發展　　——國家不斷對集成電路制造行業進行扶持　　1958年以來，中國將集成電路制造技術的發展提升到國家建設水平；1978年，通過改革開放，國家投資13億元，扶持24家企業從國外引進33條先進生產線；自2000年以來，中國從財稅、投融資、研發、人才培養等方面對中國集成電路制造業給予了支持，促進了中國集成電路制造業的快速發展?！　　蠡鹨黄谥匾暭呻娐分圃煨袠I的發展　　全國集成電路產業投資基金(以下簡稱“大基金”)于2014年9月24日正式成立。大型基金是專門為我國集成電路產業的發展而設立的，旨在為集成電路產業的發展提供良好的金融支持?！　≡诖蠡?..

大暴雨經過鄭州，垃圾污水如何處理？

2021 - 07 - 29

近日，由于臺風的影響，河南鄭州成為全社會關注的焦點?！扒暌挥觥北┯赀^后，我們不僅要關注搶險救災形勢，更要關注后續重建、健康安全、食品安全、飲水安全等各種問題的防治?！　∧壳?，暴雨的影響已經開始顯現。如何處理污水垃圾，看鄭州的基礎設施工作是否經得起考驗?！　〗陙?，鄭州污水處理能力和垃圾處理能力快速提升，成績毋庸置疑?！　?，隨著新區和雙橋兩座污水處理廠的投產，鄭州市擁有8座現代化污水處理廠和4座污泥處理廠，污水處理能力達245萬噸/日?！笆濉逼陂g，污水得到充分收集處理，基本建成與城市發展相匹配的污水處理系統?！　〈送?，污水處理廠每天可生產200多萬噸再生水，與已建成的160多公里再生水供水線路相連。2020年，再生水量已達到近3.8億噸?！笆奈濉逼陂g，鄭州規劃加快新區二期、南曹一期、馬頭崗廠外中水管道等重點項目建設，預計日新增污水處理能力45萬噸?！　≡谶@個特殊時期，很多人關心水處理業務的發展?！　∴嵵菔形鬯畠艋颈硎?，已迅速啟動防汛應急預案，配備重組后的防汛物資，認真排查污水井和水位線，指導防汛排險，確保西北城區污水進排水穩定達標，確保各項任務穩定開展?！　‰m然突如其來的暴雨造成了一些相關基礎設施的破壞或故障，但“內幕消息”終究還是存在的。鄭州方面表示，垃圾量較大，垃圾處理廠的工作尚未完全恢復，因此處理速度較慢。針對這些問題，鄭州在《關于做好汛后環衛防疫消殺工作的緊急...

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產品名稱： RBRD16高頻雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 11 - 17

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD16 3Kg (取決于過程連接)供電電壓兩線制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個盲堵M20×1.5接線端子導線橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD16兩線制負載電阻圖 ● 特征參數盲區天線末端最大測量距離RBRD16 30米(液體型)微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協議／Modbus通訊協議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時間大約1秒...

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產品名稱： RBRD17高頻雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 11 - 20

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD17 4Kg (取決于過程連接)供電電壓兩線制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個盲堵M20×1.5接線端子導線橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD17兩線制負載電阻圖 ● 特征參數盲區天線末端最大測量距離RBRD17 30米微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協議／Modbus通訊協議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時間大約...

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產品名稱： RBRD18高頻雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 11 - 20

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD18 5Kg (取決于過程連接)供電電壓兩線制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個盲堵M20×1.5接線端子導線橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD18兩線制負載電阻圖 ● 特征參數盲區天線末端最大測量距離RBRD18 70米(固體型)微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協議／Modbus通訊協議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時間大約1...

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產品名稱： RBRD12-F 大量程、腐蝕性液體測量

型號：

時間： 2018 - 11 - 17

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD12-F 2Kg (取決于過程連接)供電電壓兩線制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個盲堵M20×1.5接線端子導線橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD12-F兩線制負載電阻圖 ● 特征參數盲區天線末端最大測量距離RBRD12-F 30米微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協議／Modbus通訊協議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時間大約...

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產品名稱： RBRD51導波雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍纜式：0-30m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協議過程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線制接線儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線電纜入口2 個 M20*1.5 或 ½'NPT(&#...

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產品名稱： RBRD52導波雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍0-6m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協議過程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線制接線儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線電纜入口2 個 M20*1.5 或 ½'NPT( ...

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產品名稱： RBRD53導波雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍0-30m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協議過程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線制接線儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線電纜入口2 個 M20*1.5 或 ½'NPT( ...

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產品名稱： RBRD54導波雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍纜式：0-30m；桿式、同軸管式：0-6m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協議過程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線制接線儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線電纜入口2 個 M20*1.5 或 ...

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